半导体行业
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晶圆倒角
用于半导体晶圆边缘倒角加工的专用超硬砂轮，通过对晶圆边缘进行圆弧、斜面等轮廓磨削，解决晶圆边缘易崩裂、应力集中等问题，提升品圆的机械稳定性与后续加工适配性。
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碳化硅衬底减薄
适配粗磨、精磨全工序，粒度涵盖 2000#、8000#、30000#，粗磨 Ra<15nm，精磨 Ra<2nm 可直接精抛，降低成本 40%，适配主流设备。
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激光剥离晶锭磨削
采用特殊陶瓷结合剂，可去除晶锭表面损伤层，散热性好，避免微裂纹，单次进刀量 0.8μm/s，效率较同类提升 30% 以上。
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晶圆倒角
用于半导体晶圆边缘倒角加工的专用超硬砂轮，通过对晶圆边缘进行圆弧、斜面等轮廓磨削，解决晶圆边缘易崩裂、应力集中等问题，提升品圆的机械稳定性与后续加工适配性。
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硅片双面减薄
半导体硅片双面磨砂轮，是专为晶圆双面精密磨削设计，具有高平面度、低损伤、低污染、高寿命、磨削稳定，用于实现硅片高精度定厚、平行度控制与低损伤表面加工。
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硅晶圆背减
采用陶瓷 / 树脂结合剂，适配 IC 封装阶段，表面粗糙度 Ra≤2nm，TTV≤3μm，铝合金基体导热耐腐蚀，转速适配 1000-3500r/min，进给速度 1.0-1.4μm/s，适配主流设备。
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晶圆倒角
用于半导体晶圆边缘倒角加工的专用超硬砂轮，通过对晶圆边缘进行圆弧、斜面等轮廓磨削，解决晶圆边缘易崩裂、应力集中等问题，提升品圆的机械稳定性与后续加工适配性。
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砷化镓 (GaAs) 减薄
采用树脂结合剂，磨削力柔和，粗糙度 Ra≤10nm，可定制规格，适配小批量高精度加工，兼容精密减薄设备，精度与效率达行业领先。
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氮化镓 (GaN) 减薄
采用陶瓷结合剂，耐高温耐磨、散热好，避免微裂纹与烧伤，TTV≤3μm，损伤层 < 2.7μm，效率突出，打破国外垄断，助力客户降本。