化合物半导体

砷化镓 (GaAs) 减薄
采用树脂结合剂,磨削力柔和,粗糙度 Ra≤10nm,可定制规格,适配小批量高精度加工,兼容精密减薄设备,精度与效率达行业领先。
砷化镓 (GaAs) 减薄

应用场景


采用树脂结合剂,磨削力柔和,粗糙度 Ra≤10nm,可定制规格,适配小批量高精度加工,兼容精密减薄设备,精度与效率达行业领先。

· 韧性好,表面质量好

· 锋利度好,低应力和低亚表面损伤

· 自锐性好,易排屑、不粘屑、不堵砂


型号规格


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6A2T


规格

DTHXW结合剂粒度

6A2T

209

254

313

30

95

155

158

237

5

7

2

3

4.5

4

B

600

2000


磨削工件

GaAs 片

工件尺寸

6 英寸

砂轮规格

6A2T D209 (8 寸) B 6006A2T D209 (8 寸) B 2000

表面质量

表面磨纹均匀一致高光洁度,磨纹均匀且无深痕

粗糙度

-≤10nm

TTV

≤3μm≤3μm