化合物半导体

氧化镓 (Ga₂O₃) 减薄
不同晶型的氧化镓性能差异较大,采用超细金刚石磨料与优化陶瓷结合剂,可实现不同晶型的氧化镓衬底粗磨、精磨,磨削稳定、磨损小,为新型宽禁带半导体器件生产提供技术支撑。
氧化镓 (Ga₂O₃) 减薄

应用场景


不同晶型的氧化镓性能差异较大,采用超细金刚石磨料与优化陶瓷结合剂,可实现不同晶型的氧化镓衬底粗磨、精磨,磨削稳定、磨损小,为新型宽禁带半导体器件生产提供技术支撑。

· 高的自锐性,不易堵塞,可以稳定磨削

· 锋利度好,保证低应力、低损伤加工

· 发热明显,砂轮散热好、避免热裂纹

· 端面精度高,保证减薄均匀、TTV 小


型号规格


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6A2T


规格

DTHXW结合剂粒度

6A2T

209

254

30

95

155

158

5

7

2

3

4.5

4

B

V

2000

8000


磨削工件

Ga₂O₃片

工件尺寸

2 英寸(键合在 4 寸片上)

砂轮规格

6A2T D313 (12 寸) V 2000

磨耗比 (砂轮:工件)

1:8

TTV

≤2μm